国际电子商情讯，美光科技近日公布启动庞大构造架构重组，并吐露其下一代HBM4技能量产时间表，剑指2026年实现技能冲破。

于人工智能海潮鞭策下，高带宽内存（HBM）正成为存储巨头的战略要地。为加快追逐行业龙头SK海力士，美光科技近日公布启动庞大构造架构重组，并吐露其下一代HBM4技能量产时间表，剑指2026年实现技能冲破。iv3esmc

战略重组：四年夜部分对准细分市场‌

美光将营业划分为四年夜焦点部分：iv3esmc

‌云内存营业部分（CMBU）‌：聚焦超年夜范围云办事商（如微软、AWS）的定制化HBM和存储解决方案，直接卖力HBM技能研发与贸易化；‌焦点数据中央营业部分（CDBU）‌：办事戴尔、慧与等OEM办事器客户，满意传统数据中央需求；‌挪动与客户端营业部分（MCBU）‌和‌汽车与嵌入式营业部分（AEBU）‌：别离深耕消费电子与汽车智能化市场。

这次调解旨于强化对于AI要害客户的办事能力。据韩媒etnews阐发，CMBU的设立凸显美光对于云巨头定制需求的器重，而CDBU与CMBU的分工则精准切分超年夜范围客户与OEM客户的差异化需求。iv3esmc

‌Fluxless键合技能成HBM4要害‌

为冲破当前HBM重叠技能瓶颈，美光正加快推进下一代“Fluxless无焊剂键合”技能‌。按照业内子士近日吐露，美光公司将从本年第二季度最先与各年夜后处置惩罚装备公司互助，对于无助焊剂装备举行质量测试。iv3esmc

据相识，今朝美光公司正于采用NCF（非导电粘合膜）工艺来制造HBM。该要领触及将NCF质料插入每一个DRAM仓库，再利用TC粘合机经由过程热压缩将其毗连起来其道理是NCF受热融化，毗连DRAM之间的凸块，固定整个芯片。iv3esmc

不外，现行NCF工艺于12层以上HBM3E重叠中面对质料填充不均、边沿溢胶等问题，难以满意HBM4（估计12-16层）更高密度需求。而按照制造商装备的差别，Fluxless技能经由过程等离子体或者甲酸等差别处置惩罚方式替换传统助焊剂，直接去除了凸块氧化层，可晋升重叠靠得住性与良率。iv3esmc

‌力求缩小与SK海力士差距‌

如今，美光已经与焦点装备商告竣深度互助。据TheElec报导，韩美半导体将向美光交付约50台热压TC键合机，远超2024年的交付量，为美光的HBM3E扩产铺路；下一代HBM4产线装备采购与测试同步推进，方针2026年量产，2027-2028年推出更进步前辈的HBM4E。iv3esmc

‌今朝，美光12层HBM3E已经向英伟达B300芯片供货，但市场份额仍掉队在SK海力士。据韩媒阐发，这次重组与技能迭代左右开弓，意于经由过程‌“定制化办事+前沿技能”组合拳争取AI芯片巨头定单。而三星电子同期启动的无焊剂技能测试，则预示HBM4赛道将迎来更激烈的技能博弈。iv3esmc

‌美光CEOSanjayMehrotra暗示，新架构将在2025年5月生效，同期启用新财政陈诉系统。跟着HBM于AI办事器中的渗入率连续爬升（TrendForce统计，2023年HBM占DRAM总产值的只有8%，2024年激增至21%，到2025年占比估计将跨越30%），美光此番战略调解或者为其于万亿级AI存储市场中博得要害席位。iv3esmc

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