国际电子商情讯，4月1日上午，意法半导体微信公家号(ST)发文暗示，公司与英诺赛科签订了一项氮化镓(GaN)技能开发与制造和谈，晋升氮化镓功率解决方案的竞争力及供给链韧性。

ST与英诺赛科最新互助

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2025年4月1日上午，ST于微信公家号官宣与英诺赛科于GaN方面的互助NzHesmc

按照和谈，两边将互助推进氮化镓功率技能的结合开发规划，并于将来几年内配合鞭策该技能于消费电子、数据中央、汽车、工业电源体系等范畴获得广泛运用的光亮远景。NzHesmc

同时，8英寸高机能低成本硅基氮化镓(GaN-on-Si)制造企业英诺赛科，可借助ST于中国之外地域的前端制造产能出产其氮化镓晶圆，而ST也可借助英诺赛科于中国的前端制造产能出产其自有的氮化镓晶圆。NzHesmc

ST方面暗示，两边配合的方针是依托这类矫捷的供给链结构，拓展各自的氮化镓产物组合及市场供给能力，晋升供给链韧性，从而满意更广泛的运用场景下的各类客户需求。NzHesmc

意法半导体模仿、功率与分立器件、MEMS与传感器产物部（APMS）总裁MarcoCassis评价道，ST与英诺赛科均为IDM，这次互助将最年夜化阐扬IDM这一模式的上风，为全世界客户创造价值。一方面，ST将加快氮化镓功率技能部署，进一步完美现有的硅(Si)及碳化硅(SiC)产物组合；另外一方面，ST也将经由过程矫捷的制造模式更好地办事在全世界客户。NzHesmc

别的，英诺赛科董事长兼开创人骆薇薇博士也指出，这次与ST的战略互助将进一步扩展及加快氮化镓技能普和，两边团队将配合致力在开发下一代氮化镓技能。NzHesmc

今朝，氮化镓功率器件已经于消费电子、数据中央、工业电源与光伏逆变器范畴迅速普和，并因其显著的轻量化上风，被踊跃运用在下一代电动汽车动力体系设计中。NzHesmc

ST最先加鼎力大举度结构氮化镓

近来一年来，ST于氮化镓范畴的结构动作几次，揭示出其对于这一新兴技能的高度器重及踊跃投入。NzHesmc

2024年12月，ST在2024年公布对于英诺赛科举行战略投资，两边互助聚焦在GaN技能研发，而非纯真财政投资，标记着ST于氮化镓市场的进一步深切结构。英诺赛科2024年总营收达8.285亿元，同比增加39.8%，此中GaN分立器件和集成电路营业收入3.608亿元（同比+87.8%）。NzHesmc

2025年1月，ST发布了MasterGaN-L系列(包罗‌MasterGaN1L‌、‌MasterGaN4L‌等型号)，这‌是其氮化镓功率器件产物线的优化进级版本，重要针对于高频运用及能效晋升需求。新增型号笼罩功率规模从‌200W至5.5kW‌，适配差别拓扑布局。该系列经由过程‌高频优化‌及‌体系级集成‌，进一步巩固了ST于GaN功率器件范畴的竞争力。NzHesmc

2025年4月1日，ST与英诺赛科正式签订了氮化镓功率技能的结合开发和谈。按照和谈，两边将互助推进氮化镓功率技能的结合开发规划，并于将来几年内配合鞭策该技能于消费电子、数据中央、汽车、工业电源体系等范畴获得广泛运用。NzHesmc

ST的这些结构动作注解，其正于经由过程多种方式加快氮化镓技能的部署，完美现有的硅及碳化硅产物组合，以满意更广泛的运用场景下的各类客户需求。同时，ST也于经由过程矫捷的制造模式更好地办事在全世界客户，晋升供给链韧性，从而于全世界半导体市场中连结竞争力。NzHesmc

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